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带ESD功能的耗尽型MOSFET与 普通耗尽型MOSFET保护功能的比较
2022-08-29
 

来源:《传感器世界》

文章编号:1006-883X(2022)07-0031-07

本文截选自文章——《浅析耗尽型MOSTFET对智能变送器中DAC的供电与保护》

著作人:何锋,成都方舟微电子有限公司,博士

研究方向为耗尽型MOSFET的设计与应用,电路保护方案的设计与实现。

 
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