来源:《传感器世界》
文章编号:1006-883X(2022)07-0031-07
本文截选自文章——《浅析耗尽型MOSTFET对智能变送器中DAC的供电与保护》
著作人:何锋,成都方舟微电子有限公司,博士
研究方向为耗尽型MOSFET的设计与应用,电路保护方案的设计与实现。