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圆满收官 | CIOE EXPO 2025北京国际半导体展览会

信息来源:本站 日期: 2025-06-19

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为期三天的 北京国际半导体展(CIOE EXPO 2025)圆满落幕。这场电子行业的盛会不仅是一场技术的盛宴,更是一次行业交流与合作的重要平台。

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在此次展会上,我司凭借自主研发的耗尽型MOSFET、特殊型增强型MOSFET、高压集成稳压器、过流过压保护器、无源瞬态抑制器、集成功率器件、光继电器、超高压保护模块等系列产品,吸引了众多专业人士的目光,取得了丰硕的成果。


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ARK(方舟微)通过全方位展示专业的技术实力与一站式服务体系,吸引诸多来自集成电路头部企业及研究机构的专业人士莅临交流。通过面对面的互动深化了与各方的联系并拓宽了合作的视野。


作为国内唯一专注耗尽型MOSFET设计公司,我们聚焦于功率处理与电源管理等能力的提升,在保障器件品质和性能的同时,为产品稳定运行提供有力支撑。





多款国产替代产品,重磅亮相


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此次重磅亮相的 DMZ42C10S ,其关键参数与Infineon(英飞凌)的BSS169高度一致。且具有:

·更低的导通电阻

·更大的电流能力

可实现对 BSS169 Pin-to-Pin完美替代


产品特性:

· 产品类型:N沟道耗尽型MOSFET。

· 阈值电压:-2.9V<VGS(OFF)@ID=50μA<-1.8V。

· 高耐压: BVDSX>100V。

· 导通电阻:RDS(ON)(MAX)<6Ω。

· 封装:采用SOT-23小型化封装。


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应用领域:

· 传感器

· 智能变送器

· 固态继电器

· 恒流源

· 非隔离式DC-DC稳压


参数对比:
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在DMZ42C10S与BSS169两款产品的数据手册中,各项参数的定义范围基本一致,并且两款产品的封装形式、引脚电极分布也保持一致,因此DMZ42C10S可以对BSS169实现完美替代


除此,我们针对市场需求,推出了HVIR高压集成稳压器、Form B光继电器、全系列耗尽型MOSFET等产品(具体相关产品型号、参数、应用可以联系我司市场部同事)。该系列产品Pin-to-Pin 松下、东芝、英飞凌、IXYS、Microchip等公司产品,为国产化替代发展奠定了坚实基础。


展会现场,ARK(方舟微)技术专业团队通过功能讲解、案例分享,全方位展示我司全系列功率器件的产品品质,赢得参展客户的充分认可。


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回顾这三天的展会历程,我们深感收获颇丰。通过与同行、客户的深入交流,我们不仅拓宽了视野、了解了市场动态,还结识了许多潜在的客户与合作伙伴。这些宝贵的资源将为我们未来的发展注入新的活力与动力。


展望未来,我们将继续秉承“品质·铸就卓越,创新·筑梦未来”的理念,不断加大研发投入与技术创新力度,致力于为客户提供更加优质、高效的功率器件。


我们相信,在不久的将来,我们国产的全系列耗尽型MOSFET、特殊型增强型MOSFET、高压集成稳压器、过流过压保护器、无源瞬态抑制器、集成功率器件、光继电器、超高压保护模块等系列产品,将在更多领域得到广泛应用与推广,为推动功率半导体行业的持续发展贡献更大的力量。

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