一、增强型与耗尽型MOS管的“导通逻辑”有何不同？
要区分这两种MOS管，首先得回到它们的核心差异——默认导通状态。
MOS管的核心是栅极（G）对沟道（源极S到漏极D之间的载流子通道）的控制能力。对于增强型MOS管来说，它的沟道是“按需生成”的：当栅极施加正向电压（对N沟道来说是正电压，P沟道是负电压）时，栅极下方的半导体表面会感应出大量载流子（电子或空穴），从而形成导电沟道；如果栅极电压为零或反向，沟道消失，MOS管截止。简单说，增强型MOS管就像一个“开关”——没有栅压指令时，它处于“关闭”状态；只有收到栅压“开启”指令后，才会导通。
而耗尽型MOS管的逻辑完全相反。它的沟道是“天生自带”的：即使栅极不加任何电压（零偏置），源极和漏极之间已经存在原始导电沟道（由掺杂工艺决定）；只有当栅极施加反向电压时，沟道中的载流子会被“耗尽”（中和或排斥），导致沟道变窄甚至消失，MOS管才会截止。因此，耗尽型MOS管更像一个“常通的阀门”——默认状态下允许电流通过，需要关闭时才通过栅压“掐断”沟道。
这种差异直接决定了两者的电气特性：增强型MOS管的开启电压（Vth）是其工作的“门槛”（比如N沟道增强型需要Vgs>Vth才能导通）；而耗尽型MOS管的开启电压（Vth）可能是负值（对N沟道来说），意味着栅极需要施加反向电压才能让它关闭，零栅压或正向栅压时它始终导通。
二、响应时间、钳位电压如何影响保护效果？
在ESD（静电放电）保护场景中，MOS管常被用作TVS（瞬态电压抑制）器件。这时候，响应时间和钳位电压是两个核心参数，而增强型与耗尽型的差异会直接影响保护效果。
1. 响应时间：谁更快“接住”静电脉冲？
ESD发生时，电荷会在纳秒（ns）甚至皮秒（ps）级内释放，因此保护器件必须具备极快的响应速度。耗尽型MOS管由于默认导通，其沟道中的载流子浓度高，当ESD脉冲到来时，沟道可以瞬间导通，形成低阻通路，将静电电流快速泄放到地；而增强型MOS管需要栅压达到开启阈值（Vth）后才能导通，这个过程需要一定时间（通常是几十到几百纳秒）。在高速ESD场景下（比如芯片引脚的静电防护），耗尽型的响应速度优势能显著降低器件被击穿的风险。
2. 钳位电压：能否“稳住”过电压？
钳位电压是指MOS管在导通状态下，漏源两端的稳定电压值。耗尽型MOS管的沟道电阻小（默认导通时Rds(on)较低），因此在相同电流下，其钳位电压更低；而增强型MOS管在开启后，虽然也能导通，但由于需要维持栅压来保持沟道，一旦栅压因ESD脉冲波动（比如瞬间降低），沟道可能收缩，导致钳位电压升高。对于精密芯片（如MCU、传感器）来说，过高的钳位电压可能损坏内部电路，因此耗尽型的低钳位电压特性更有利。
总结：在ESD保护中，耗尽型MOS管凭借更快的响应速度和更低的钳位电压，能更高效地泄放静电电流、限制过电压，是更优的选择。
增强型与耗尽型MOS管的核心差异，在于“是否需要栅压指令来控制导通”。耗尽型的“默认导通”特性，使其在恒流源、高压启动、模拟电流镜等场景中不可替代；而增强型的“栅压控制”特性，则在需要灵活开关的数字或功率电路中更受欢迎。
耗尽型 MOS