目前常见的MCU的工作电压大多为2.7V～5.5V，在高输入电压供电的应用里，MCU的供电大多使用耗尽型MOSFET+LDO的方案。
如图1电路所示，使用耐压值为150V的DMZ1520E搭配LDO给MCU提供精确的供电电压。同时，为进一步简化电路和节约成本，也可以仅使用DMZ1520E直接给MCU供电。
如图2电路所示，在1mA～5mA的工作电流条件下，DMZ1520E的输出电压（VDD电压）约为3.5V。
如图2电路所示，仅使用1颗DMZ1520E，就能给工作电压为2.7V～5.5V的MCU稳定供电，同时为MCU提供瞬态浪涌保护。
图2电路特点如下：
（1）DMZ1520E的工作电压最高为150V，可直接工作于高输入电压条件下。
（2）DMZ1520E既能够稳定的给MCU供电，又能够为MCU提供良好的瞬态浪涌保护。
（3）DMZ1520E可靠性高，稳定性好，电路结构简单，可有效节约成本。
通常MCU的工作电流约为1mA～5mA，因此在该条件下使用典型的DMZ1520E样品按照图2电路进行测试，测得VDD电压值与电流的关系如图3所示。
此外，该VDD电压值与DMZ1520E的阈值电压参数VGS(OFF)相关，典型DMZ1520E样品的VGS(OFF)参数值随结温的变化关系如图4所示。