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导读

待机零功耗是未来电源管理方案的发展趋势，各大PD快充方案均有待机低功耗解决方案，但选择DMZ6005E（ARK（方舟微）DMMOS^®系列产品之一，耗尽型MOSFET，也简称为DFET）为PWM IC启动供电的方案还可进一步降低待机功耗，整机待机功耗小于5mW，实现待机零功耗。

目前，越来越多品牌快充引入DMZ6005E待机零功耗方案，在此，就该器件参数值选择和设计做简要介绍以及应用中工程师遇到的常见技术问题，进行详细说明。

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应用电路及功能

DMZ6005E为PD快充的PWM IC启动供电的典型应用电路如下：

DMZ6005E击穿电压V_DSX超过600V，可以在极宽的输入电压范围内正常工作，并且器件采用SOT-23封装，产品体积小，适于表面贴装。

由于耗尽型MOSFET本身的“常闭”特性，快充上电瞬间， DMZ6005E∣V_GS∣<∣V_GS(OFF)∣,器件处于闭合导通状态，PWM IC的VCC引脚的电容开始充电，当电压上升到PWM IC的工作电压，PWM IC开始工作，DMZ6005E∣V_GS∣>∣V_GS(OFF)∣关断，仅由附加绕组给PWM IC供电。

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DMZ6005E的主要参数说明

 

1.击穿电压V_DSX：600V。市电经整流后约为310V，600V的耐压值完全能够应对各种情况。

2.关断电压V_GS(OFF)：-1.5V～-3.3V，DMZ6005E的栅极电压升高，器件即可关断，易于驱动，-5V及以上的V_GS电压都能使器件完全关断。

3. 额定功耗PD：0.5W。对于小封装的功率器件，其额定功耗主要由对应封装的散热能力决定，SOT-23封装产品的功耗通常为0.5W。

4. 额定电流I_D：20mA。额定电流是结合了最大允许结温下的导通电阻值和最大允许功耗计算得出的值。DMZ6005E在150℃结温下的电阻值约1150Ω，SOT-23封装的功耗为0.5W，根据P_D=I_D²*R_{DS(ON)@TJ=150℃}，可计算出I_D=20mA。

5. 脉冲电流I_DM：80mA。允许通过器件漏极-源极的最大脉冲电流，可根据经验公式计算：I_DM≈4*I_D。

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常见的技术问题

1. 关于DMZ6005E额定电流I_D定义为20mA，ARK（方舟微）结合实际应用，设计选型确定该数值说明如下：

额定电流是结合器件最大允许结温下的导通电阻值和最大允许功耗计算得出的值。根据P_D=I_D²*R_{DS(ON)@TJ=150℃}，DMZ6005E额定功率0.5W, 150℃结温下的电阻值约1150Ω，即：0.5W=I_D²*1150Ω，可得额定电流I_D=20.8mA。

DMZ6005E的实际工作状态为：充电器上电启动瞬间，DMZ6005E器件导通，PWM IC启动，之后附加绕组给PWM控制IC供电，DMZ6005E被关断；在充电器待机和给负载正常充电时，DMZ6005E的∣V_GS∣>∣-6V∣，DMZ6005E处于关断状态，I_DS＜0.01mA。DMZ6005E仅在充电器启动的瞬间处于导通状态。通常启动回路的限流电阻为300KΩ～3.3MΩ，按照市电整流后为310V进行计算，该启动充电回路的电流,也即是DMZ6005E导通工作状态时I_DS为0.103mA～1.03mA，DMZ6005E的额定电流20mA且允许的脉冲电流为80mA，器件电流承受能力是远大于实际工作电流的，并留有充分的冗余量，完全能够满足PWM IC的充电电流需求。

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2. 关于DMZ6005E具有ESD静电保护功能的设计：

ARK（方舟微）产品大多数带ESD静电保护功能，该功能为芯片级设计。产品是否具有ESD防护功能以及ESD耐受等级，根据不同应用场景有严格选型设计规范。不具有ESD防护功能，上板生产时易发生静电失效，过高的ESD能力影响其他参数的选型设计。

DMZ6005E采用通用的美国电子工业协会JEDEC EIA/JESD22-A114(HBM)，人体放电模式的ESDVESD(G-S)达到700V~900V，可以对各种标准生产环境下应用起到完备静电防护，大大增加了系统的安全性和稳定性。

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DMZ6005E的优势

1. 可靠的品质保障。自面市以来，DMZ6005E已被华为、荣耀、三星、小米、谷歌、vivo等厂商广泛使用，目前出货量已达10亿+，产品品质及可靠性久经市场考验，是广大应用工程师的最优选择。

2. 严谨的参数定义。DMZ6005E规格书中所有标称值均留有充分的冗余量，实际测试数值均超过标称值，冗余度高于15%-25%。

3. 优质的售前售后服务。各大品牌选用ARK产品，无论售前选型指导、售后应用问题诊断还是指定参数筛选、高端定制开发，都得到了满意的服务。

DMZ6005E规格书