ARK（方舟微）研发的UltraVt^®超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压70V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品

该系列耗尽型MOSFET具有超高的阈值电压参数，利用其压阈值特性，非常适合直接用于各类PWM IC的供电方案中，既能实现PWM IC的宽电压范围输入下的供电需求，又能很好的抑制电路浪涌，为PWM IC提供过压保护。

UltraVt^®超高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下：

01

典型电路

UltraVt^®超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路 (以DMZ1015E为例)如下：

图1. UltraVt^®超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路

02

应用原理

UltraVt^®超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用原理：

如图1电路所示，PWM IC与DMZ1015E的S-G并联，因此PWM IC的VCC电压就等于DMZ1015E的|V_GS|电压。当输入电压较低时，DMZ1015E基本直通，仅在D-S两端有较小压降。当DMZ1015E工作在稳压状态时，MOSFET自身会工作在饱和区，根据耗尽型MOSFET的输出特性曲线可知，在不同的饱和电流I_DS下都会有唯一的V_GS电压相对应，且该V_GS电压数值上与同样I_DS电流下的|V_GS(OFF)|相等。

而在图1所示电路中，V_GS≤0V，因此V_GS电压的范围为：0V≤|V_GS|≤|V_GS(OFF)|_(MAX)，即VCC的电压大小根据I_DS电流的不同，只能在DMZ1015E的阈值电压范围内变化，I_DS电流越大，|V_GS|数值越小。当I_DS电流一定时，输出电压|V_GS|也唯一确定。

因此使用ARK（方舟微）UltraVt^®超高阈值耗尽型MOSFET可以直接给PWM IC进行宽电压范围输入条件下的稳压供电。

ARK（方舟微）

UltraVt^®超高阈值耗尽型MOSFET

01

ARK（方舟微）UltraVt^®超高阈值耗尽型MOSFET可直接替代传统三极管供电方案：

图2.UltraVt^®超高阈值耗尽型MOSFET替代传统供电方案

02

单绕组的VCC供电电路示意图：

图3.UltraVt^®超高阈值耗尽型MOSFET在单绕组供电方案中的应用

03

双绕组VCC供电供电电路示意图：

图4.UltraVt^®超高阈值耗尽型MOSFET在双绕组供电方案中的应用