ARK（方舟微）研发的高阈值耗尽型MOSFET具有较高的阈值电压，非常适合搭配LDO给MCU供电，目前常见的MCU的工作电压大多为2.7V～5.5V，在宽范围输入电压供电的应用中，可以使用高阈值耗尽型MOSFET搭配LDO给MCU提供精确的供电电压。同时，为进一步简化电路和节约成本，还可以仅仅使用DMZ1520E直接给MCU供电。此外，还可以使用高阈值耗尽型MOSFET搭配限流电阻构成恒流源给MCU供电。

ARK（方舟微）高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下：

01

搭配LDO给MCU供电

高阈值耗尽型MOSFET搭配LDO给负载供电的典型应用电路如下：

图1. 高阈值耗尽型MOSFET搭配LDO给MCU供电

图1电路中，LDO的输入、输出两端的电压差，数值上等于耗尽型MOSFET在对应电流下的阈值电压V_GS(OFF)，而上述耗尽型MOSFET的高阈值特性，可以保证LDO在低温或较大电流下工作时，其输入、输出两端压差大于LDO正常工作所需的最低压差，使LDO能够稳定的给MCU提供精确的供电电压。

02

直接给MCU供电

高阈值耗尽型MOSFET直接给负载IC供电的典型应用电路如下：

图2. 高阈值耗尽型MOSFET直接给MCU供电

MCU的工作所需电流通常较小，且供电范围约2.7V～5.5V，在图2所示电路中，VDD电压值等于对应电流下耗尽型MSOEFT DMZ1520E的阈值电压V_GS(OFF)（-3.5V～-5.5V），因此，使用DMZ1520E直接MCU供电，能够满足MCU在2.7V～5.5V区间的供电需求，允许的输入电压最大值高达150V。

03

搭配限流电阻构成恒流源给IC供电

利用高阈值耗尽型MOSFET可以组成一个简单稳定的高电压输入的电压调节器或电流源，给负载IC供电，其典型应用电路如下：

图3. 高阈值耗尽型MOSFET搭配限流电阻构成恒流源给IC供电

如图3电路所示，当Vin增加时，流过电路的电流I_DS增加，电阻R两端的电压升高，即耗尽型MOSFET源极-栅极电压升高，V_GS增加会引起器件导电沟道变窄，电流增加减缓。最终电阻R两端的电压V_SG数值上等于器件对应电流下的关断电压∣V_GS(OFF)∣，此时I_DS不再随输入电压Vin的增加而变化。因此电路可提供的恒定电流为I=V_GS(OFF)/R，其中V_GS(OFF)为耗尽型MOSFET在对应电流下的阈值电压。用户可根据MOSFET的V_GS(OFF)参数来匹配相应阻值的电阻，以实现IC的恒流供电需求。

04

DMZ1521E在PI的PD方案中的应用

如图4所示，是PI在PD方案中使用DMZ1521E进行恒流供电的应用示意图：

图4. DMZ1521E在PI的 PD方案中的应用

05

DMZ12C15A搭配运算放大器的应用

ARK（方舟微）研发的DMZ12C15A高阈值耗尽型MOSFET，具有极低的泄漏电流，高温稳定性更高，非常适合搭配运算放大器或电压基准源，为负载提供恒定电压。典型电路如下图所示：

图5. DMZ12C15A搭配运算放大器的应用

如图5所示，运算放大器输入电压V_i与运算放大器输出电压V_o之间的关系为：V_o=V_i×(1+R2/R1)。当负载确定时，负载两端的工作电压也会确定，有V_s=V_o+∣V_GS∣，其中V_GS在数值上等于耗尽型MOSFET在对应电流下的关断电压V_GS(OFF)，即V_s=V_o+∣V_GS(OFF)∣。上述电路可以给负载提供稳定的供电电压。

DMZ12C15A规格书

DMZ1520E规格书

DMZ1521E规格书