DMZ11C55EA是ARK（方舟微）专为工控应用研发的耐压550V的N沟道耗尽型MOSFET。这款产品采用VD-MOS结构设计，加强了栅极ESD防护能力，确保了其可靠性和耐用性，特别适合高压低电流的各类应用。
对标 Microchip - LND150K1，可靠性更佳！DMZ11C55EA非常适合用于SMPS的启动电路中，可直接替代传统的电阻式启动供电方案，PWM IC启动阶段由DMZ11C55EA提供所需电流，启机后由附加绕组供电，并将DMZ11C55EA关断，电阻R仅流过极低的偏置电流，可有效降低开关电源自身的功耗。
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