DMZ11C55EA是ARK（方舟微）专为工控应用研发的耐压550V的N沟道耗尽型MOSFET。这款产品采用VD-MOS结构设计，加强了栅极ESD防护能力，确保了其可靠性和耐用性，特别适合高压低电流的各类应用。
DMZ11C55EA可用于串联在低压高阻测量仪器的输入端，通过限制流入测量仪器的电流，来实现±550V的过压、过流保护。电路示意图如下：
该保护电路采用两颗DMZ11C55EA背靠背串联，通过匹配限流电阻R，最高可实现±550V的过压保护。
确认限流电阻R阻值的经验方式：确定了允许通过测量仪器的最大电流ID后，可从DMZ11C55EA产品规格书给出的转移特性曲线中，读取出对应电流下的VGS值，则所需电阻R≈VGS/ID。如下图所示，若设计最大电流为1mA，则电阻R≈1.22V/1mA=1.22KΩ。
（注：规格书中通常为典型样品数据，产品实际参数也会因生产批次不同而存在差异。）
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