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信息来源:本站 日期:2024-07-23

专为工控应用研发的耐压550V / N沟道耗尽型MOSFET-DMZ11C55EA(三)



DMZ11C55EA是ARK(方舟微)专为工控应用研发的550V N沟道耗尽型MOSFET,产品采用VD MOS 结构设计,栅极具有ESD防护设计,产品可靠耐用,特别适合高压低电流应用。




高压离线型线性调节器应用

DMZ11C55EA可以搭配小型线性稳压器,直接工作于高压电力线供电的应用中,为需要低电流供电的IC或电路负载供电。应用示意图如下所示:


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电路特点


●使负载电路可直接工作在110V AC或220V AC供电的应用中。


DMZ11C55EA能够直接拓宽小型线性稳压器的允许输入电压至550V,适用于宽范围电压输入、小电流供电的应用。


DMZ11C55EA能够有效抑制电路浪涌,为负载电路提供过压保护。


线性稳压器的输入电压VIN=VOUT+VGS(OFF),VGS(OFF)是DMZ11C55EA在对应电流下的阈值电压。




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