耗尽型MOSFET构成电流源给IC供电的应用电路
当电路工作时，电阻R两端的电压会随着流过的电流的增加而升高，但是由于耗尽型MOSFET的亚阈值特性，其最大电压值不会超过对应电流下的阈值电压，即VR_MAX=|VTH|。因此在该条件下，上述应用可以作为恒流源给IC供电。
由于MOSFET的功耗限制，该应用不适合大功率供电场景，实际应用时电流会随着MOSFET结温的变化而存在轻微波动。
DMZ1520E系列产品在工业自动化、汽车电子、新能源等应用电路中，可用于LDO供电。如下图所示，电路中只使用了一个DMZ1520E，它可以将高输入电压转换为稳定的低电压为LDO供电，同时为LDO提供瞬态浪涌抑制。LDO的输入输出电压满足关系式: Vs=Vout+|VGS(OFF)|。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单。
DMZ1520E系列产品不仅能提供稳定的电源，而且能在复杂的电子、磁环境中抵抗较大的瞬变电压，特别适用于智能变送器IC的应用，如AD421、SD2421A、JHM1101等，对标 BSS169、MMBF4393等。
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