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信息来源:本站 日期:2024-07-23

MOSFET使用过程中的常见问题

MOSFET使用过程中的常见问题

01

初次接触耗尽型MOSFET时,怎样避免与增强型MOSFET混淆?

部分客户在初次接触耗尽型MOSFET时,若未先行查看其产品规格书,则可能会按照测试增强型MOSFET的方式直接对其进行测试,由于耗尽型MOSFET在栅极零偏压时为导通状态,因此会认为器件属于失效产品。


常用的区分方法是:
·查阅产品规格书,通过规格书中的介绍和参数定义进行判断。
·可直接在G极浮空的情况下,使用万用表对MOSFET的D-S导通状态进行测量,若测得MOSFET的D-S为导通状态,且所测阻值约为产品规格书中定义的导通电阻值,则表明该MOSFET为耗尽型MOSFET;若测得MOSFET的D-S为开路状态,则表明该MOSFET为增强型MOSFET。


02

简耗尽型MOSFET与JFET的D、S管脚一样具有对称性吗?

JFET的D、S管脚通常是对称的,即D、S管脚在使用时可以互换;而ARK(方舟微)的耗尽型MOSFET的D、S管脚不具有对称性,在使用时D、S管脚不能互换。

对于N沟道-耗尽型MOSFET,当电流方向为D→S时,电流仅能从沟道流过;当电流方向为S→D时,电流较小时从沟道流过(体二极管未导通),电流较大时,会同时从沟道和体二极管流过;N沟道-耗尽型MOSFET关断后只能阻断D→S方向的电压。


03

简约耗尽型MOSFET与JFET的栅极-源极结构近似吗?

JFET的G-S、G-D之间的结构为PN结,而耗尽型MOEFET属于绝缘栅结构,MOSFET的栅极与半导体材料之间隔着栅氧化层,因此通常认为MOSFET的输入阻抗远大于JFET。另外因为这种结构上的差异,使得JFET在一定条件下,其G-S可以作为二极管使用,而耗尽型MOSFET的G-S则无法作为二极管使用。


实际上MOSFET的输入阻抗还和芯片本身的结构及芯片大小相关,ARK(方舟微)研发的MOSFET大多具有ESD保护设计,在MOSFET的G-S间并联有ESD保护二极管,因此我们会在其产品规格书中看到部分MOSFET的IGSS漏电流可能会达到微安级。



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关于ARK(方舟微)

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ARK(方舟微)成立于2008年,是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力,,自主研发的耗尽型MOSFET、SiC FET、PHOTOMOS继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。


公司创始人具有多年半导体行业研发与管理经验,团队包括:海归博士、国内顶尖大学硕士,及海外研发合作团队组成,研发人员大多具有十年以上功率半导体行业研发经验。所有产品均自主研发,相关技术已获发明专利,目前公司具有发明专利及集成电路布图近70项,是以自主研发为核心竞争力的半导体原厂。


    ARK(方舟微)的产品可直接替代Infineon、IXYS、Microchip等公司的器件,例如:DN3545、DN2540、DN2530、LND150N8、BSS169、BSS159、BSS139、BSS129、IRF6216、CPC3909、CPC5602、IXTA6N50D2、IXTY1N6R100D2、TC6320等。ARK(方舟微)可根据客户需求,提供特殊参数的器件定制开发服务,如:PMOS、N+P双沟道MOS、中压大电阻MOS等。


ARK(方舟微)产品包括工业类和消费类两条产品线,自主研发的DMMOS®系列产品,BVDSX从60V-1200V;RDS(ON)从0.3Ω-700Ω,覆盖全系列耗尽型MOSFET。品以高品质、高性能、低成本对标国外同类产品,实现国产替代,被内外客户认可并广泛采用。



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