MOSFET栅极失效

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失效现象：

MOSFET的栅极氧化层是最薄弱且容易出现问题的部位，浪涌、静电等均可对其造成破坏，而且损伤后往往表现为微观异常现象，普通的分析手段通常无法清晰地展现出缺陷形貌。栅极失效通常会导致栅-源漏电流增加、栅-源短路、漏-源漏电流增加或漏-源被热击穿而短路、MOSFET无法开启或无法关断等现象。

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失效原因排查：

当MOSFET出现栅极失效时，通常表现为栅极-源极阻抗急剧降低或近似短路的现象，我们可以使用万用表进行测量以辅助判断。常见的过电压主要为栅极外部出现过电压脉冲，可利用示波器辅助抓取过电压脉冲信号波形进行分析；引起栅极失效的静电主要包括人体携带的静电和机械设备携带的静电，静电通常是在器件贴装过程中引入。

MOSFET雪崩失效

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失效现象：

雪崩失效后通常表现为栅极、源极、漏极互相短路，芯片表面出现较大击穿点但通常无高温导致的碳化、熔融等现象。

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失效原因排查：

雪崩失效通常发生在MOSFET的漏极-源极两端施加了大电压（包括电路中的感性负载产生的大电压）的情况下，通常可以使用示波器抓取电路信号波形进行分析。

MOSFET过流过压失效

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失效现象：

过流失效通常会导致MOSFET塑封体崩裂或碳化、键合点熔融、键合线熔断、芯片产生裂纹及芯片表面金属出现大面积融化等现象。

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失效原因排查：

过流失效通常发生在负载短路、脉冲过流、长时间高温运行的同时出现焊锡空洞等不稳定因素导致个别区域温度升高的情况下，其根本原因均可理解为过电流导致的局部高温烧蚀。

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关于ARK(方舟微)

ARK(方舟微)成立于2008年，是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力，自主研发的耗尽型MOSFET、SiC FET、光继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。

公司创始人具有多年半导体行业研发与管理经验，团队包括：海归博士、国内顶尖大学硕士，及海外研发合作团队组成，研发人员大多具有十年以上功率半导体行业研发经验。所有产品均自主研发，相关技术已获发明专利，目前公司具有发明专利及集成电路布图近70项，是以自主研发为核心竞争力的半导体原厂。

    ARK(方舟微)的产品可直接替代Infineon、IXYS、Microchip等公司的器件，例如：DN3545、DN2540、DN2530、LND150N8、BSS169、BSS159、BSS139、BSS129、IRF6216、CPC3909、CPC5602、IXTA6N50D2、IXTY1N6R100D2、TC6320等。ARK(方舟微)可根据客户需求，提供特殊参数的器件定制开发服务，如：PMOS、N+P双沟道MOS、中压大电阻MOS等。

ARK(方舟微)产品包括工业类和消费类两条产品线，自主研发的DMMOS^®系列产品，BV_DSX从60V-1200V；R_DS(ON)从0.3Ω-700Ω，覆盖全系列耗尽型MOSFET。

产品以高品质、高性能对标国外同类产品，实现国产替代，被国内外客户认可并广泛采用。