MOSFET

因外部机械应力而出现损伤的外观表现：

常见的因外部机械应力而失效的MOSFET的外观表现为：

MOSFET器件管脚出现扭曲、变形、断裂等现象；MOSFET塑封体出现裂纹、破碎、异常划痕等现象；MOSFET外观无明显异常现象，但失效是发生在抗冲击性实验（如跌落试验）之后等。

常见失效原因排查：

通常MOSFET因外部机械应力而发生失效时，会呈现出失效样品数量较多、失效样品的外观损伤表现较一致的现象。

常见的机械应力来源包括：

（1）器件在运输过程出现挤压碰撞，导致器件出现损伤，这样的损伤一般可以在原材料检验阶段发现；

（2）贴片机调试不当也可能出现MOSFET结构受损的现象；

（3）半成品电路板转运时出现挤压、磕碰等现象，也可能导致MOSFET出现结构损伤现象；

（4）电路板布局不合理，如MOSFET旁边有重量大、体积大的直插件，而MOSFET刚好位于电路板受力形变处（或位于电路板与外壳、支架的应力传导处），此时MOSFET也可能会因受力而出现结构损伤。

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关于ARK(方舟微)

ARK(方舟微)成立于2008年，是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力，自主研发的耗尽型MOSFET、SiC FET、光继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。

公司创始人具有多年半导体行业研发与管理经验，团队包括：海归博士、国内顶尖大学硕士，及海外研发合作团队组成，研发人员大多具有十年以上功率半导体行业研发经验。所有产品均自主研发，相关技术已获发明专利，目前公司具有发明专利及集成电路布图近70项，是以自主研发为核心竞争力的半导体原厂。

    ARK(方舟微)的产品可直接替代Infineon、IXYS、Microchip等公司的器件，例如：DN3545、DN2540、DN2530、LND150N8、BSS169、BSS159、BSS139、BSS129、IRF6216、CPC3909、CPC5602、IXTA6N50D2、IXTY1N6R100D2、TC6320等。ARK(方舟微)可根据客户需求，提供特殊参数的器件定制开发服务，如：PMOS、N+P双沟道MOS、中压大电阻MOS等。

ARK(方舟微)产品包括工业类和消费类两条产品线，自主研发的DMMOS^®系列产品，BV_DSX从60V-1200V；R_DS(ON)从0.3Ω-700Ω，覆盖全系列耗尽型MOSFET。

产品以高品质、高性能对标国外同类产品，实现国产替代，被国内外客户认可并广泛采用。