耗尽型MOSFET

选型相关的主要参数

BV_DSX：

漏极到源极的击穿电压，应选择能满足电路可靠运行且留有安全裕量的击穿电压BV_DSX。正常工作时施加在漏-源极两端的电压必须低于器件标称的漏-源极击穿电压，同时应留有一定的裕量，以适应正常的电压波动以及由于瞬态浪涌或干扰引起的各种电压尖峰。

P_D：

器件可消耗的最大连续功率。功耗是在器件达到允许的最大结点温度，同时底座保持在25℃的情况下计算得到的。在选型时需确保器件在实际工作时的功耗不超过额定功耗，且保留安全裕量。

I_DSS：

导通状态下最小的漏极-源极饱和电流标称值。I_DSS是在栅极-源极电压为零时（V_GS=0V），在特定的漏极-源极电压（V_DS）下通过的漏极电流，表示的是可以在漏极-源极之间通过的最大电流。选型时应确保在正常工作状态下，流过MOSFET的实际漏源极电流必须低于器件标称的漏-源极饱和电流（I_DSS）。

V_GS(OFF)：

栅极-源极截止电压。N沟道耗尽型MOSFET具有负值的沟道截止电压，该参数被定义为V_GS(OFF)，当栅极-源极电压（V_GS）反向增加，漏极电流将逐渐减小，直到施加的栅极-源极电压等于器件的截止电压时，MOSFET停止导通。应根据栅极-源极电压的实际工作范围，选择合适的栅极-源极截止电压（或阈值电压）V_GS(OFF)的大小。

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关于ARK(方舟微)

ARK(方舟微)成立于2008年，是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力，自主研发的耗尽型MOSFET、SiC FET、光继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。

公司创始人具有多年半导体行业研发与管理经验，团队包括：海归博士、国内顶尖大学硕士，及海外研发合作团队组成，研发人员大多具有十年以上功率半导体行业研发经验。所有产品均自主研发，相关技术已获发明专利，目前公司具有发明专利及集成电路布图近70项，是以自主研发为核心竞争力的半导体原厂。

    ARK(方舟微)的产品可直接替代Infineon、IXYS、Microchip等公司的器件，例如：DN3545、DN2540、DN2530、LND150N8、BSS169、BSS159、BSS139、BSS129、IRF6216、CPC3909、CPC5602、IXTA6N50D2、IXTY1N6R100D2、TC6320等。ARK(方舟微)可根据客户需求，提供特殊参数的器件定制开发服务，如：PMOS、N+P双沟道MOS、中压大电阻MOS等。

ARK(方舟微)产品包括工业类和消费类两条产品线，自主研发的DMMOS^®系列产品，BV_DSX从60V-1200V；R_DS(ON)从0.3Ω-700Ω，覆盖全系列耗尽型MOSFET。

产品以高品质、高性能对标国外同类产品，实现国产替代，被国内外客户认可并广泛采用。