成都方舟微电子有限公司
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信息来源:本站 日期:2024-08-15

硬知识!耗尽型MOSFET的保护应用



常见的分立保护器件对比



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传统TVS过压保护电路



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图1:TVS用于防止过压保护的电路示意图


PTC搭配TVS构成的保护电路,可实现浪涌抑制保护,如图1所示。当TVS并联在负载两端进行过电压保护时,若过电压冲击导致电流急剧增加,超出电路元件的额定电流范围,此时PTC将起到过流保护的作用。PTC的迅速升温和高阻态限制了电流的通过,从而保护了电路中的其他元件免受过大电流的损害。该电路对PTC与TVS的匹配有一定要求:在TVS失效前,PTC就要触发并断开电路,否则过大的电流可能会先让TVS热烧毁,失去保护功能。




ARK(方舟微)高阈值耗尽型MOSFET系列产品的保护应用


传统的PTC搭配TVS构成的保护电路,可以完成一定的浪涌抑制保护,但对电流无法进行较为稳定的控制。而耗尽型MOSFET依靠其自身的“亚阈值特性”,在搭配适当的限流电阻的情况下,电路能够保持在一个相对稳定的电流水平(即恒流源),从而为负载提供所需的、受控的电流供应。

ARK(方舟微)研发的高阈值耗尽型MOSFET,非常适合搭配LDO给MCU供电,目前常见的MCU的工作电压大多为2.7V~5.5V,可以使用高阈值耗尽型MOSFET搭配限流电阻构成恒流源给MCU供电。此外,在宽范围输入电压供电的应用中,可以使用高阈值耗尽型MOSFET搭配LDO给MCU提供精确的供电电压。同时,为进一步简化电路和节约成本,还可以仅仅使用DMZ1520E直接给MCU供电。


ARK(方舟微)高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下:

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图2  TVS用于防止过压保护的电路示意图


如图2电路所示,当Vin增加时,流过电路的电流IDS增加,电阻R两端的电压升高,即耗尽型MOSFET源极-栅极电压升高,VGS增加会引起器件导电沟道变窄,电流增加减缓。最终电阻R两端的电压VGS数值上等于器件对应电流下的关断电压∣VGS(OFF)∣,此时IDS不再随输入电压Vin的增加而变化。因此电路可提供的恒定电流为I=VGS(OFF)/R,其中VGS(OFF)为耗尽型MOSFET在对应电流下的阈值电压。用户可根据MOSFET的VGS(OFF)参数来匹配相应阻值的电阻,以实现IC的恒流供电需求。


高阈值耗尽型MOSFET搭配LDO给负载供电的典型应用电路如下:

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图3  高阈值耗尽型MOSFET搭配LDO给MCU供电


如图3电路所示,LDO的输入、输出两端的电压差,数值上等于耗尽型MOSFET在对应电流下的阈值电压VGS(OFF),而上述耗尽型MOSFET的高阈值特性,可以保证LDO在低温或较大电流下工作时,其输入、输出两端压差大于LDO正常工作所需的最低压差,使LDO能够稳定的给MCU提供精确的供电电压。
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图4  高阈值耗尽型MOSFET直接给MCU供电


如图4电路所示,高阈值耗尽型MOSFET直接给负载IC供电。MCU的工作所需电流通常较小,且供电范围约2.7V~5.5V,在图2所示电路中,对应电流下耗尽型MSOEFT DMZ1520E的阈值电压VGS(OFF)(-3.5V~-5.5V),因此,使用DMZ1520E直接MCU供电,能够满足MCU在2.7V~5.5V区间的供电需求,允许的输入电压最大值高达150V。




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关于ARK(方舟微)

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ARK(方舟微)成立于2008年,是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力,自主研发的耗尽型 MOSFET、增强型 MOSFET、高压集成稳压器、过流过压保护器、无源瞬态抑制器、集成功率器件、光继电器、SiC FET等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。


公司创始人具有多年半导体行业研发与管理经验,团队包括:海归博士、国内顶尖大学硕士,及海外研发合作团队组成,研发人员大多具有十年以上功率半导体行业研发经验。所有产品均自主研发,相关技术已获发明专利,目前公司具有发明专利及集成电路布图近70项,是以自主研发为核心竞争力的半导体原厂。


    ARK(方舟微)的产品可直接替代Infineon、IXYS、Microchip等公司的器件,例如:DN3545、DN2540、DN2530、LND150N8、BSS169、BSS159、BSS139、BSS129、IRF6216、CPC3909、CPC5602、IXTA6N50D2、IXTY1N6R100D2、TC6320等。ARK(方舟微)可根据客户需求,提供特殊参数的器件定制开发服务,如:PMOS、N+P双沟道MOS、中压大电阻MOS等。


ARK(方舟微)产品包括工业类和消费类两条产品线,自主研发的DMMOS®系列产品,BVDSX从60V-1200V;RDS(ON)从0.3Ω-700Ω,覆盖全系列耗尽型MOSFET。


产品以高品质、高性能对标国外同类产品,实现国产替代,被国内外客户认可并广泛采用。



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