成都方舟微电子有限公司
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信息来源:本站 日期:2025-02-27

DMMOS®系列产品说明 - DMD4523E


特点

1、N沟道耗尽型(常开)

2、ESD能力加强

3、低导通电阻:2Ω(Max)@25℃

4、高耐压:450V

应用


1、音频放大器

2、过压保护器

3、电流调节器

4、转换器

5、恒流源

6、常闭开关



简易恒流源

如下图所示,仅使用一颗耗尽型MOSFET+电阻R,即可构成简易恒流源,就能限制流过负载回路的电流大小,还可有效抑制电路浪涌,为负载回路提供过流保护。


电路可通过的最大电流ID和DMD4523E的阈值电压VGS(OFF)及R的阻值相关,近似为ID≈|VGS(OFF)|/R,其中VGS(OFF)为DMD4523E在对应电流条件(ID)下的阈值电压。该系列MOSFET响应速度快,电路结构简单、成本低。

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过压保护及瞬态浪涌抑制

该电路通过选择合适的稳压二极管VD,即可得到稳定的输出电压VOUT。输出电压VOUT和稳压二极管的稳压值VZ及DMD4523E的阈值电压VGS(OFF)有关,可近似为VOUT≈VZ+|VGS(OFF)|,其VGS(OFF)为DMD4523E在对应电流条件(ID)下的阈值电压。


DMD4523E系列产品可工作在较高电压下,且DMD4523E响应速度快,能为负载回路提供过压保护及瞬态浪涌抑制。


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