DMZ42C10S产品简述

DMZ42C10S是ARK（方舟微）研发的一款耐压100V的N沟道耗尽型MOSFET产品，该产品性能优异，可靠性高，且参数定义范围与Infineon的BSS169基本一致。相较于BSS169，DMZ42C10S具有更低的导通电阻，以及更大的电流能力，可以对BSS169实现Pin-to-Pin完美替代。

DMZ42C10S与BSS169对比

1、 封装形式对比

DMZ42C10S和BSS169均为SOT-23封装，且D、G、S电极分布完全一致。

2、主要静态参数定义范围对比

DMX42C10S各项参数的定义范围与BSS169基本一致。

3、样品参数实测对比

DMZ42C10S具体更低的导通电阻和更大的电流能力，BSS169的实际耐压高于DMZ42C10S(注：ARK（方舟微）已经开发出了实际击穿电压与BSS169相近的升级款产品，后续即将推出)。

耗尽型MOSFET产品在应用中对标的主要特点说明

耗尽型MOSFET在绝大多数应用中，都是工作在亚阈值状态下（即栅-源电压V_GS满足：V_GS(OFF)＜V_GS＜0V），此时耗尽型MOSFET的参数具有如下特点：

1、 导通电阻R_DS(ON)：亚阈状态下导通电阻是变化的，且会明显超过V_GS=0V时的电阻值（规格书中给出的电阻参数）；但是当MOSFET工作在直通状态时，导通电阻越小，则会带来更低的电压降，且相应具有更大的电流能力。

2、阈值电压V_GS(OFF)：只需要满足电路驱动电源要求以及电路参数要求即可，如搭配运放使用时，只要符合运放的驱动输出范围即可；如搭配电阻实现限流的应用，通过调节限流电阻的阻值，也可以使用不同阻值的电阻达到相近的限流需求。因此，不一定需要完全一样的阈值电压参数才能实现对标替代。

3、 电流参数：一般主要关注耗尽型MOSFET在一定栅极偏压下的饱和电流大小（相对综合的参数）是否能满足电流的电流需求，饱和电流越大，则越能适配大电流下的应用。

因此，对于耗尽型MOSFET的替代选型，通常“参数是否一模一样”并不是对标选型的固定标准。

DMZ42C10S的典型应用方案介绍

1、 给DAC芯片/传感器调理芯片供电并提供过压保护

DMZ42C10S适合用于传感器、智能变送器中，给DAC芯片、传感器调理芯片供电，并为负载电路提供浪涌防护，典型应用电路如下：

2、恒流/限流应用

DMZ42C10S适合用于构建简易恒流源，以及用于构建限流单元实现过流保护，典型应用方案如下：