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600V N沟道耗尽型MOSFET产品系列概述

ARK（方舟微）最新推出了600V N沟道耗尽型MOSFET系列产品，采用先进的平面工艺设计，可靠性高，性能优异，是实现过流、过压保护的优选器件，可对DN2545、DN2550、CPC3960、CPC3909、BSP135等产品实现完美替代。

该系列产品的主要参数如下：

接下来将分为三部分内容，对该系列三款产品的参数特性及典型应用进行介绍，首先介绍DMS04R60A产品。

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DMS04R60A产品选型指南

2.1、 DMS04R60A产品特点

● 极低的泄漏电流

● 低导通电阻

● 优异的高温特性

● 小型化封装：SOT-223

2.2、 DMS04R60A应用领域

▲ 固态继电器、常闭开关

▲ 电池供电系统

▲ 电流调节器、恒流源、电压电流转换器

▲ 限压器、限流器

2.3、 DMS04R60A典型应用方案

★ DMS04R60A用于过压保护、稳压输出

方案特点：

■ 低电压下具有线性导通特性，DMS04R60A电阻约4Ω

■ 耐高压，允许输入电压高达600V

■ 箝位电压可调，输出电压最大值约V_OUT(MAX.)≈|V_GS(off)|+V_Z

■ 静态功耗低，通过V_Z的偏置电流仅uA级

■ 能应对长时间的过压现象，且保持负载不停机，弥补TVS的不足

★ DMS04R60A用于过流保护、恒流输出

方案特点：

■ 可在600V实现双向的过流、过压保护

■ 利用DMS04R60A的亚阈导通特性实现限流输出，最大电流为I_(MAX.) ≈|V_GS(off)|/R

■ DMS04R60A电流能力强，能支持较大电流输出

■ DMS04R60A响应速度快，能有效抑制电路浪涌

2.4、 DMS04R60A典型参数特性

看图小技巧：

转移特性曲线可帮助工程师匹配过流保护电路参数。如图8中A点可近似理解为栅-源电压V_GS=-1.8V时，对应器件沟道可通过的最大电流I_D(sat)=20mA（忽略沟道长度调制效应），因此若使用R=1.8V/20mA=90Ω的电阻，按照如图6所示电路连接，可实现限流20mA的过流保护。

2.5、 DMS04R60A产品参数实测

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D-MOSFET知识小茶馆

每天了解一个耗尽型MOSFET的知识点之：浅谈耗尽型MOSFET的击穿电压参数BV_DSX。

a． 击穿电压的参数符号

行业习惯把耗尽型MOSFET的击穿电压写成BV_DSX，后缀X表示“测试条件是一个特定的（栅-源）电压条件，即不是G-S短接”。原因是对于N沟道耗尽型MOSFET来说，V_GS=0V时导电沟道天然存在，其完全导通的，需要特定的负电压V_GS才能将器件关断。

相应的，习惯把增强型MOSFET的击穿电压的习惯写成BV_DSS，后缀S表示“测试条件是G-S短接，即V_GS=0V”。对于增强型MOSFET来说，V_GS=0V时，导电沟道不存在，器件处于关断状态，此时就可以对击穿电压进行测试。

b． 击穿电压的温度特性

MOSFET（包括增强型和耗尽型）的击穿电压都具有正温度系数。具体来讲，就是温度升高时，耗尽型MOSFET的击穿电压在数值上会提高；当温度降低时，击穿电压在数值上会减小。

对于MOSFET来说，当温度升高时，半导体晶格振动加剧，载流子（电子/空穴）的平均自由程缩短，需要更高的电场强度才能引发雪崩倍增效应，因此击穿电压随温度升高而增大。

因此工程师在进行参数选型时，应考虑到击穿电压的温度特性。对于功率MOSFET，击穿电压的温度系数一般近似为：ΔBV_DSS(X)/ΔT_j≈+0.1V/ °C（或等效为+0.1% / ℃）。

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关于ARK(方舟微)

ARK(方舟微)成立于2008年，是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力，自主研发的耗尽型MOSFET、特殊型增强型MOSFET、高压集成稳压器、过流过压保护器、无源瞬态抑制器、集成功率器件、光继电器、超高压保护模块等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。

公司创始人具有多年半导体行业研发与管理经验，团队包括：海归博士、国内顶尖大学硕士，及海外研发合作团队组成，研发人员大多具有十年以上功率半导体行业研发经验。所有产品均自主研发，相关技术已获发明专利，目前公司具有发明专利及集成电路布图近70项，是以自主研发为核心竞争力的半导体原厂。

    ARK(方舟微)的产品可直接替代Infineon、IXYS、Microchip等公司的器件，例如：DN3545、DN2540、DN2530、LND150N8、BSS169、BSS159、BSS139、BSS129、IRF6216、CPC3909、CPC5602、IXTA6N50D2、IXTY1N6R100D2、TC6320等。ARK(方舟微)可根据客户需求，提供特殊参数的器件定制开发服务，如：PMOS、N+P双沟道MOS、中压大电阻MOS等。

ARK(方舟微)产品包括工业类和消费类两条产品线，自主研发的DMMOS^®系列产品，BV_DSX从60V-1200V；R_DS(ON)从15mΩ-700Ω，覆盖全系列耗尽型MOSFET。

产品以高品质、高性能对标国外同类产品，实现国产替代，被国内外客户认可并广泛采用。