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600V N沟道耗尽型MOSFET系列产品概述

ARK（方舟微）最新推出了600V N沟道耗尽型MOSFET系列产品，采用先进的平面工艺设计，可靠性高，性能优异，是实现过流、过压保护的优选器件，可对DN2545、DN2550、CPC3960、CPC3909、BSP135等产品实现完美替代。

该系列产品的主要参数如下：

前两期介绍了DMS04R60A与DMS40R60A,本期将主要介绍DMS60R60A产品的参数特性。

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DMS60R60A产品选型指南

2.1、 DMS60R60A应用领域

▲ 常闭型固态继电器

▲ 电池供电系统

▲ 电流调节器、恒流源、电压电流转换器

▲ 限压器、限流器

2.2、 DMS60R60A应用方案

两线制端口过压保护方案

利用耗尽型MOSFET的亚阈特性，可以非常便捷的实现过压保护/稳压输出、过流保护/恒流输出等电路功能，本期主要分享一种利用耗尽型MOSFET实现两线制端口防止外部过压损坏的方案。

先给出耗尽型MOSFET用于过压保护的基础方案：

图1电路适合用于箝位保护阈值电压较高的应用，输出可调性高，V_OUT(MAX)＜|V_GS(OFF)|+V_z；图2电路适合用于箝位阈值电压较低的应用,例如在ADC芯片端口的防过压保护方案中，即保留了直通特性，又能将输出电压箝位：V_OUT(MAX)＜V_GS(OFF)|。

对通用型过压保护方案进行变形，可以得到适用于两线间过压保护的电路方案，电路结构如下：

在该方案中，耗尽型MOSFET具有零偏压直通特性，且由端口1→端口A、端口2→端口B都是经MOSFET的S极→D极，因此被保护设备可以正常输出电压、电流信号；当外部有高压从端口A、端口B输入时，耗尽型MOSEFT快速响应，将外部高压阻挡在MOSFET的D-S两端，从而确保被保护设备内部电路不受外部高压损坏。

器件选型时，V_Z1、V_Z2用于设定当外部高压输入时，被保护设备的端口1与端口2之间的箝位电压值；D1与D3选型时应保证耐压足够，确保在任何时刻都不会工作在击穿状态；R1、R2用于提供V_Z1、V_Z2稳压所需的偏置电流；耗尽型MOSFET的耐压应超过外部被防护的高压值。

2.3、 DMS60R60A典型参数特性

2.4、 DMS60R60A产品参数实测

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D-MOSFET知识小茶馆

每天了解一个耗尽型MOSFET的知识点之：耗尽型MOSEFT与TVS二极管过压保护方案的对比：

在特定应用中，可将耗尽型MOSEFT保护方案与TVS结合使用，以达到最优效果。

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