首页
产品中心
耗尽型MOSFET
增强型MOSFET
高压LDO
高压辅源控制IC
光继电器
浪涌保护
过压保护
MOSFET驱动器
其他产品
应用技术
应用方案
技术交流
新闻中心
企业新闻
行业新闻
客户服务
免费送样
定制服务
客户反馈
关于我们
企业简介
企业荣誉
合作客户
联系我们
联系方式
人才招聘
cn
en
成都总部:18280230341 深圳分部:15994769483
成都总部:2656262862 深圳分部：23503050
<
应用方案
当前位置:
首页
>
>应用技术
>
应用方案
应用方案
技术交流
DMZ42C10S：全国产Pin-to-Pin替代Infineon BSS169，零偏导通/负压关断，赋能环路供电DAC、高压线性稳压及简易恒流源应用
高压集成稳压器（HVIR）系列：180V耐压，集成式LDO方案，多电压输出，兼具温补优化与大电流带载能力，适配PWM IC供电与TL431过压保护
OPV1122S光耦合器：专为MOSFET栅极驱动优化，搭配D-MOS产品即可构建常闭型（Form-B）光MOS继电器方案
FTZ15N35G：ZVS辅助开关，专为Renesas快充方案优化，助力主MOSFET实现零电压开关
PD快充方案搭配DMZ1521E：以亚阈恒流赋能InnoSwitch供电，精简外围、节省空间、降低待机并抑制浪涌
耗尽型MOSFET DMZ6005E/DMZ6012E：革新PWM IC启动方案，以零待机损耗实现大电流高可靠快充供电
英飞凌BSS169 替代首选！DMZ42C10S：100V耗尽型MOSFET，导通电阻更低，载流能力更强
耗尽型MOSFET恒流电路的基本原理与实现方法
ARK（方舟微）推出850V国产耗尽型MOSFET，可替代IXYS（Littelfuse）国际品牌同类产品
效率与小型化兼得：DMX0652E重新定义60V耗尽型MOSFET，赋能低压大电流应用
ARK（方舟微）推出专用于PD快充的耗尽型MOSFET产品系列
DMZ(X)1318E用于稳压输出的特性说明
1
2
3
...
4
5
6
7
8
下一页»
