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耗尽型MOSFET
 
成都方舟微电子专注于耗尽型MOSFET的研发,所开发的产品以高性能和高可靠性著称。由于采用了具有完全自主知识产权的技术,在高阈值电压以及超高阈值电压产品研发中,走在了行业最前沿。
型号 击穿电压(V) 额定电流(A) 阈值电压(V)
导通电阻(Ohm)
典型值 最大值
封装形式 备注 资料下载
DMS04R60A 600 0.2 -1.5~-4.5 4 8 SOT-223 对标:BSP135、CPC5602、IXTP02N50D
DMS6013E 600 0.12 -2.1 -- 30 SOT-223-4 对标:BSP135 暂无
DMZ6005E 600 0.02 -1.5~-3.3 500 700 SOT-23 无卤,ESD保护
DMZ6005EH 600 0.02 -1.96~-2.39 500 700 SOT-23 对标:BSS126、DN906、CPC3982、LND150K1-G
DMD6014E 600 0.08 -1.5~-3.3 110 150 SOT-252 对标:BSP135、CPC3960、CPC3980
DMS6014E 600 0.1 -1.5~-3.3 110 150 SOT-223 对标:BSP135、CPC3960、CPC3980
DMX5530E 550 0.09 -1.5~-3.8 -- 70 SOT-89 对标:DN3145N8-G
DMD02R50A 500 1.6 -2~-4 -- 2.3 TO-252 对标:IXTY1R6N50D2、IXTA1R6N50D2、IXTP1R6N50D2 暂无
DMX5003 500 0.03 -0.8 -- 1000 SOT-89-3 对标:LND150 暂无
DMD4523E 450 3.75 -1.7~-4 -- 2 TO-252 对标:CPC3708、CPC5603、DN2625、DN2450
DMB4523E 450 3.75 -1.7~-4 -- 2 TO-263 对标:CPC3708、CPC5603、DN2625、DN2450 暂无
DMS4022E 400 0.24 -1.5~-3.3 12 25 SOT-223 对标:DN3135N8-G、MMBFJ270、BSP179
DMX4022E 400 0.2 -1.5~-3.3 12 25 SOT-89 对标:CPC3708C、DN2540N8-G、LND150N8、
DMS4030 400 0.3 -3.1 6 9 SOT-223 对标:CPC3909 暂无
DMX4030 400 0.3 -3.1 6 9 SOT-89 对标:CPC3909 暂无
DMB2014 200 16 -1.5~-3.3 0.08 0.1 TO-263 对标:IXTH16N20D2、IXTA6N50D2
DMB16C20A 200 16 -2~-4 -- 0.08 TO-263 对标:IXTH16N20D2、IXTA6N50D2
DMX2023 200 0.6 -2~-4 1.3 2 SOT-89 对标:CPC3710、BSP149、BSP129、BSS139
DMG2016A 200 16 -2~-4.5 -- 0.08 TO-268 对标:IXTT16N20D2 暂无
DMZ12C15A 150 0.1 -2.5~-5 14 25 SOT-23 对标:BSS169、MMBF4393
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