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耗尽型MOSFET
 
成都方舟微电子专注于耗尽型MOSFET的研发,所开发的产品以高性能和高可靠性著称。由于采用了具有完全自主知识产权的技术,在高阈值电压以及超高阈值电压产品研发中,走在了行业最前沿。
型号 击穿电压(V) 额定电流(A) 阈值电压(V)
导通电阻(Ohm)
典型值 最大值
封装形式 备注 资料下载
DMX0652E 60 0.5 -1.5~-3.5 0.5 1.5 SOT-89 对标:CPC3701
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