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耗尽型MOSFET
成都方舟微电子专注于耗尽型MOSFET的研发,所开发的产品以高性能和高可靠性著称。由于采用了具有完全自主知识产权的技术,在高阈值电压以及超高阈值电压产品研发中,走在了行业最前沿。
型号
击穿电压(V)
额定电流(A)
阈值电压(V)
导通电阻(Ohm)
典型值
最大值
封装形式
备注
资料下载
DMX0652E
60
0.5
-1.5~-3.5
0.5
1.5
SOT-89
对标:CPC3701
共3页 页次:3/3页
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